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参数目录49469
> SI4906DY-T1-E3 MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC
型号:
SI4906DY-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI4906DY-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装
2,500
系列
TrenchFET®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
39 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
625pF @ 20V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
SI4906DY-T1-E3TR
查看SI4906DY-T1-E3代理商
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